國產IGBT的使用已經非常成熟了，伴隨著半導體領域的大力發展，目前國內涌現越來越多的優質半導體企業，飛虹半導體就是其中之一。目前飛虹半導體首發FHA40T65A型號的IGBT已經可以應用于逆變器、電機驅動、電焊機等領域的產品！

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。

IGBT兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。

因此IGBT是非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。飛虹半導體生產制造的IGBT產品都是經過一系列可靠性研究才最終反饋到市場進行應用的。

目前飛虹半導體的FHA40T65A型號IGBT產品參數特點為：

1、擁有反向并行的快恢復二極管，還具備高可靠性，國產IGBT產品應用領域Trench Field Stop Ⅱ technology（出色的Vcesat飽和壓降，拖尾電流非常短，關斷損耗低），擁有正溫度系數。

2、FHA40T65A的封裝形式是TO-3PN，其具有40A, 650V, VCEsat典型值：1.51V，＜1.85V；IC (Tc=100℃)：40A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：40A；IF (Tc=100℃)：20A。

3、FHA40T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優化工藝，來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降，國產IGBT產品應用領域并在導通損耗和關斷損耗（Eoff）之間能做出來良好的權衡。

4、出色的導通壓降與極短的拖尾電流為客戶在優化系統效率時提供有力的幫助，此外FHA40T65A具備良好的短路特性，能為電機驅動電路在處理突發事件提供充足的裕量。

目前飛虹半導體的FHA40T65A型號IGBT產品可應用的具體領域為：

1、FHA40T65應用于高頻車載AC220V逆變器：1.5KW機型：使用4只FHA40T65A在逆變器的全橋拓撲結構上。

2、FHA40T65應用于光伏逆變器，也叫太陽能逆變器：微型逆變器：3KW機型使用8只FHA40T65A在全橋拓撲結構上。

單相組串式光伏逆變器：前級升壓（Single Boost）

單相組串式光伏逆變器：后極逆變（Two-level）

單相組串式光伏逆變器：后極逆變（Heric）

單相組串式光伏逆變器：后極逆變（H6）

3、FHA40T65應用于電機驅動：家電類的三相電機驅動電路圖與上面的三相全橋拓撲結構相同。

4、FHA40T65應用于電焊機：4個IGBT為一個全橋，根據功率需求有的方案會進行并聯加大功率適應，數量以2的倍數起。

飛虹半導體的FHA40T65A型號IGBT是國產IGBT的優質產品，其應用領域涉及逆變器、電機驅動、電焊機等！飛虹為國內的電子產品廠家提供了優質的產品以及配套服務。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制IGBT產品。直接百度輸入“飛虹電子”即可找到我們，免費試樣熱線：400-831-6077。