我們知道判斷一款場效應(yīng)管是否合適，除了質(zhì)量問題還需要關(guān)注產(chǎn)品參數(shù)、封裝、應(yīng)用場景等才能判斷一款MOS管是否能用在電子產(chǎn)品中。那適用在500W逆變器后級電路中目前常見的場效應(yīng)管有TK12A50D。
除此之外，國內(nèi)也有比較優(yōu)質(zhì)能夠替代TK12A50D使用在500W逆變器后級電路中的場效應(yīng)管型號FHP13N50，為TO-220、TO-220F、TO-3PN封裝MOS場效應(yīng)管。
據(jù)了解目前市場上面有飛虹的一款型號為：FHP13N50是能夠直接替換國外的這一款TK12A50D的MOS來使用在500W逆變器后級電路。
目前這款FHP13N50為N溝道增強型高壓功率MOS場效應(yīng)管，它在使用方面能匹配型號為TK12A50D的國外場效應(yīng)管。目前廣泛使用的場景是500W逆變器后級電路、DC-AC電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、高壓H橋PWM、開關(guān)電源、紫外線燈電子鎮(zhèn)流器馬達驅(qū)動六款產(chǎn)品中。
FHP13N50場效應(yīng)管的特點是13A, 500V, RDS（on） = 0.48Ω（max） @VGS = 10 V低電荷、低反向傳輸電容開關(guān)速度快，大芯片，500W逆變器后級電路TK12A50DMOS管耐過載沖擊。
FHP13N50的主要封裝形式是 TO-220/TO-220F/TO-3PN ，腳位排列位GDS。這款場效應(yīng)管參數(shù)：Vgs（±V）：30；VTH（V）：3-5；ID（A）：13；BVdss（V）：500。
飛虹自2008年至今，共獲得實用專利及發(fā)明15項，500W逆變器后級電路TK12A50DMOS管并與中山大學(xué)、中科院合作研發(fā)GaN器件。飛虹產(chǎn)品已經(jīng)在開關(guān)電源、逆變器、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器獲得廣泛應(yīng)用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質(zhì)量的國內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。
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熱門標(biāo)簽：500W逆變器后級電路TK12A50DMOS管
